据TrendForce集邦咨询研究，三大原厂开始提高先进制程的投片，继存储器合约价翻扬后，公司资金投入开始增加，产能提升将集中在今年下半年，预期1alpha nm（含）以上投片至年底将占DRAM总投片比重约40%。其中，HBM由于获利表现佳，加上需求持续看增，故生产顺序最优先。但受限于良率仅约50%~60%，且晶圆面积相较DRAM产品放大逾60%，意即所占投片比重高。尽管三大原厂的新厂将于2025年完工，但部分厂房后续的量产时程尚未有明确规划，需依赖2024年的获利，才能得以持续扩大采购机台，这也进一步推动三大原厂坚守存储器价格今年涨势。除此之外，由于NVIDIA GB200将于2025年放量，其规格为HBM3e 192/384GB，预期HBM产出将接近翻倍，且紧接各原厂将迎来HBM4研发，若投资没有明显扩大，因各家产能规划皆以HBM为优先，在产能排挤的效应之下，DRAM产品恐有供应不及的可能性。